本书以正确阐述物理概念为主，辅以必要的数学推导，理论分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹没在繁琐的数学运算中，使读者通过学习，达到对半导体中的各种基本物理现象有一全面正确的概念，建立起清晰的半导体物理图像，为后续课程的学习，研究工作的开展，理解各种半导体器件，集成电路的工作机理打下良好的基础。
再版前言
本教材第1版于1979年12月由国防工业出版社出版。以后，被推荐列入原电子工业部教材办公室组织编导的19821985年、19861990年、19911995年年度的高等学校工科电子类专业教材编审出版规划，并由《电子材料与固体器件》教材编审委员会《半导体物理与器件》编审组负责编审、推荐出版。此后，再次被推荐为国家级重点教材，并列入电子工业部的19962000年全国电子信息类专业教材编审出版规划，由微电子技术专业教学指导委员会负责编审、推荐出版。2006年纳入普通高等教育十一五国家级规划教材，修订出版。2012年入围十二五普通高等教育本科国家级规划教材，2014年被教育部评选为普通高等教育精品教材。
按照各次教材规划的要求，本教材第2版于1984年5月由上海科学技术出版社出版，并于1987年12月获电子工业部19771985年年度工科电子类专业优秀教材特等奖，1988年1月获全国高等学校优秀教材奖。第3版于1989年5月由国防工业出版社出版，并于1992年1月获第二届机械电子工业部电子类专业优秀教材特等奖，1992年11月获第二届普通高等学校优秀教材全国特等奖。第4版于1994年4月由国防工业出版社出版，第5版于1998年10月由西安交通大学出版社出版。第6版于2003年8月由电子工业出版社出版，第7版于2008年5月由电子工业出版后，于2013年3月进行改版修订，印刷12次，印数8万多册。本次是在2013年改版的基础，再次修订。依据当前教学需求再次改版。
本教材共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。各章后都附有习题和参考资料供教师、学生选用。本教材由西安交通大学刘恩科担任主编。
第7版修订由刘恩科，朱秉升，罗晋生进行。刘恩科负责第1.1～1.8节、第4章、第7章、第10.1～10.5节、
第11章、第12章节及附录；朱秉升负责第1.9节、1.10节、第2章、
第3章、
第6章、10.6节、10.7节；罗晋生负责第5、第8、第9、第13章。修订主要做了以下一些工作：
(1)为了便于读者阅读其他有关科技书籍、文献资料，将波数矢量的大小定义为 k =2/ λ
，并将与之有关的所有公式做了相应的修改；
(2)电场改用 E 表示，其中黑体 E 表示矢量，非黑体 E 表示标量，与之相应的公式均做了 修改；
(3)常用的一些参数数据尽可能参阅近年来有关的文献资料并做了一定的更新，附录是按2004年美国出版由Madelung O.主编《Semiconductors:Data Book,3 rd
edition》整理的；
(4)为便于理解GaN、AlN的能带，第1章增加了具有六方对称的纤锌矿结构的布里
渊区；
(5)第2章增加了GaN、AlN、SiC中的杂质能级；
(6)第3章将载流子占据杂质能级的概率改用简并因子 g 表示的普遍公式；
(7)第4章简要地介绍了少数载流子迁移率的概念；
(8)第5章增加了硅的少数载流子寿命与扩散长度一节；
(9)第9章增加了GaN基半导体异质结构，介绍了极化效应及AlGaN/GaN和InGaN/GaN的异质结构及其特性；
(10)将原第9章中的半导体异质结在光电子器件中的应用一节移到第10章；
(11)由于罗晋生教授一丝不苟的作风，对第6版中不少错误进行了订正，期望经过这次修订尽可能将书中存在的错误降至最少。
使用本教材时，主要以前9章为主，第10章至第13章视各校情况选用。教学中第1章的1.1～1.4节视学生是否学习过固体物理学中的能带论酌情处理，第6章pn结，着重在物理过程的分析，辅以必要的数学推导，至于与生产实际联系密切的内容是属于晶体管原理课程所解决的问题。同时，为了便于教学，依据近年来教学知识体系及教学学时数的调整，以及众多学校使用本教材后反馈的信息，本次改版对全书的知识体系进行了分层。除主修内容外，将各校视需要而选修的内容，以及研究生阶段参考的理论证明，加深、拓展的内容分别以*和 ★ 标出，供各学校教学参考。
半导体物理学作为电子科学与技术专业的骨干课程之一，理论性和系统性均较强。为了帮助学生掌握并深刻理解课程中涉及的概念、理论和方法，以及增强解决实际问题的能力，又为本课程配套编写了《半导体物理学学习辅导及习题详解》一书(电子工业出版社出版)。同时，复旦大学蒋玉龙教授根据多年的教学体会，为本书开发了同步教学多媒体课件，需要的读者可以到华信教育资源网（www.hxedu.com.cn）申请。
本教材由刘恩科编写第1章的1.1～1.8节，第4、第7和第11、第12章及第10章的室温激子部分；朱秉升编写第2、第3、第6章及第1章的1.9节和1.10节，5.4节中的俄歇复合，以及第9章的9.1节、9.6节，第10章的10.6节、10.7节；罗晋生编写第8、第13章，第4章4.2节中的合金散射，第5章的5.9节，第9章的9.2～9.5节；屠善洁编写第10章的10.1～10.6节；亢润民编写第5章的5.1～5.8节和第7章；附录由刘恩科、亢润民整理。
在各次修订时，主审和《半导体物理与器件》教材编审组全体委员及电子科学与技术专业教学指导委员会全体委员，以及使用本教材的各院校教师，都为本书提出许多宝贵意见。本次修订，部分院校的授课教师及电子工业出版社的陈晓莉编审提供了很宝贵的意见，在此表示诚挚的感谢!
由于编者水平有限，书中难免还存在一些缺点和错误，殷切希望广大读者批评指正。
编者
2017年6
于西安交通大学
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