半导体薄膜技术与物理（第三版）_叶志镇著，叶志镇，吕建国，吕斌，张银珠，戴兴良编_9787308209489

本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础，全书共分十一章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，第十一章介绍了溶液法技术及发光器件的制备。
本书文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。本书具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
本书读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书。

叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990—1992年留学美国麻省理工学院(MIT)；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料科学与工程学系系主任。
1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作。主要研究：半导体薄膜制备、物性调控与光电应用。现兼任中国电子学会理事，中国能源学会常务理事，中国电子材料委员会副主任，《材料科学与工程学报》主编，J．Mater．Sci．&Tectl．和《半导体学报》编委等。
在国内率先开展氧化锌薄膜p型掺杂研究，开发出具有自主知识产权的p型掺杂系列核心技术，率先研制了氧化锌LED原型器件并实现室温电致发光；发展了组分调控氧化锌薄膜光电性能的技术，透明导电薄膜的实际应用效果良好；自主发展了高真空CVD薄膜技术并在全国推广应用；研制了一系列硅基薄膜材料与器件。负责的Zn()研究工作被国家自然科学基金委评为“光电功能材料重大计划”5个亮点成果之一。先后承担国家“973”课题2项、国家自然基金10项(重点项目3项)、省部级科研项目40多项。“氧化锌基材料生长、p型掺杂与室温电致发光研究”获2007年国家自然科学二等奖，此外在薄膜制备与光电应用方面还获得浙江省科技一等奖3项，省部级科技二等奖3项。授权国家发明专利60多项。出版学术著作2本，参编3本。发表SCI收录论文400余篇，其中Adv．Mater．，NanoLett．，JACS，APL等国际著名期刊论文100余篇；论文被他引56()O余次，其中sCI他引4000余次。国际大会报告40余次，邀请报告20余次。
1994一年被评为国家重点实验室全国先进工作者并获“金牛奖”；1995年选为浙江省首批“中青年学术带头人”；1996年人选教育部“跨世纪优秀人才”；1997年入选国家“百千万人才工程”；1997年享受国务院特殊津贴。2006年被聘为浙江大学首批求是特聘教授；2007年选为浙江省突出贡献中青年专家；2008年被评为浙江省特级专家，获浙江省优秀回国人员称号；2008年、2010年获中国百篇优秀博士论文提名奖指导教师；2012年评为浙江大学“三育人”标兵、浙江省“三育人”先进个人、全国宝钢优秀教师；2013年评为浙江省师德先进个人。

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