本书主要描述常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性。内容包括：半导体物理基础、PN结、PN结二极管应用、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及新型场效应晶体管，如FinFET、SOI FET、纳米线围栅(GAA)FET等，共计七章。与同类教材比较，本教材增加了pn结二极管应用以及新型场效应晶体管的介绍，反映了本领域的*新研究进展，丰富了BJT和MOSFET的相关内容，对重要知识点有更详尽的解释说明，便于学生自学，也可供本领域科研人员和工程技术人员参考。

本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关器件和现代开关器件，传统开关器件以晶闸管为主，在此基础上，介绍以GTO晶闸管为主的派生器件；现代功率开关器件以功率MOSFET和IGBT为主。第4部分为功率半导体器件应用综述，以脉

本书以数据分析为基础，探讨了半导体材料及器件的特征参数分析和检测的方法和技术。全书共七章，包括数据的统计分析、半导体物理基础、半导体材料的接触及能带结构测量、半导体缺陷及测量、载流子迁移率的测量、载流子动力学和太阳能电池的基本原理及表征，对相关材料专业学生和科研工作人员具有很好的参考价值和意义。

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为低维结构半导体材料；第11章为氧化物半导体材料；第12章为照明半导体材料；第13章为其他半导体材料。

本书适合作为集成电路、微电子、电子科学与技术等专业高年级本科生和研究生学习半导体器件物理的双语教学教材，内容涵盖了量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件的全部内容。全书在介绍学习器件物理所必需的基础理论之后，重点讨论了pn结、金属–半导体接触、MOS场效应晶体管和双极型晶体管的工作原理和基本特性。最后论述了结型场效应晶体管、晶闸管、MEMS和半导体光电器件的相关内容。本书提供了丰富的习题和自测题，并给出了大量的分析或设计实例，有助于读者对基本理论和概念的理解。

This book comprehensively and deeply introduces the semiconductor device principle and technology. The book consists of three sections: semiconductor physics and devices, semiconductor manufacturing process and semiconductor device packaging and t

本书系统阐述了表面组装元器件、表面组装材料、表面组装工艺、表面组装设备原理及应用等SMT基础内容。针对SMT产品制造业的技术发展及岗位需求，详细介绍了表面组装技术的SMB设计与制造、焊锡膏印刷、点胶、贴片、波峰与再流焊接、检验、清洗等基本技能。 为解决学校实训条件不足和增加学生感性认识的需要，书中配置了较大数量的实物图片。本书可作为职业院校电子技术应用专业、电子材料与元器件制造专业的教材；也可作为其他相关专业的辅助教材或SMT企业工人的自学参考资料。

本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法，重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章，内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合器件及金刚石半导体器件的展望。
本书可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读。

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。

本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本

随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器件和高灵敏探测器件等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。本书是在作者近几年来一直从事氮化物太赫兹器件研究工作的基础上