《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性,还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源/漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念,不仅有理论基础知识的阐述,还有新近研究成果的介绍。《半导体器件原理》可作为电子科学与技
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