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半导体物理与器件实验教程
全书分上下两篇, 上、下两篇既独立成篇又互为联系, 隶属于微电子相关专业的知识体系, 其中每篇又由“基础知识”和“实验”两部分构成。上篇为“半导体物理实验”, 分别为构建晶体结构、仿真与分析晶体电子结构、单波长椭偏法测试分析薄膜的厚度与折射率、四探针测试半导体电阻率、霍耳效应实验、高频光电导法测少子寿命、肖特基二极管的电流电压测试分析、肖特基二极管的势垒高度和半导体的杂质浓度的测试分析、MIS的高频CV测试。下篇为“微电子器件实验”, 分别为二极管直流参数测试、双极型晶体管直流参数测试、MOS场效应晶体管直流参数测试、双极型晶体管开关参数测试、双极型晶体管频率特性测试。每个实验均包括学习目标、建议学时、原理、实验仪器、实验内容、实验步骤、复习题, 旨在培养学生的实验操作技能和实验思考技能。
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