氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输法、氢化物气相外延法、金属有机物化学气相沉积法制备氮化铝单晶和氮化铝器件应用。

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本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华外延、非晶衬底上氮化物准范德华外延、准范德华外延氮化物的柔性剥离及转移、准范德华外延氮化物器件散热以及Ⅲ族二维氮化物。
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本书为高等职业技术院校电类专业通用教材，主要内容包括表面组装技术（SMT）基本知识、表面组装元器件、表面组装印制电路板、锡膏印刷工艺与设备、贴片胶涂覆工艺与设备、SMT贴片工艺与设备、SMT焊接工艺与设备、检测与返修工艺与设备、SMT清洗工艺与材料、贴片类电子产品的装配与调试。本书严格按照2016年部颁《技工院校电子技术应用专业教学计划和教学大纲》中的SMT基础与工艺课教学大纲进行编写，书稿内容全面完善，可实施性强，满足高等职业技术学校电子类专业学生的教学需求。

本书以电子制造SMT设备为主体，从设备品牌、工作原理、结构组成、操作过程、故障诊断、技术参数、设备选型、评估与验收及设备维修与保养等角度，分别介绍SMT主体设备（涂敷设备、贴装设备、焊接设备等）和SMT辅助设备（检测设备、返修设备、SMT生产线辅助设备、静电防护设备等），并选取不同设备的共性部件作为机电设备通用部件进行单独叙述，同时从设备工程与管理角度出发，融合介绍设备故障诊断、设备维修与保养和设备管理等技术在电子制造SMT设备中的应用。本书全面贯彻高等职业教育理念，紧密结合生产实际，坚持学、教

本书共分10章，系统阐述了各种真空镀膜技术的基本概念、工作原理和应用，真空镀膜机的结构、设计计算，蒸发源，磁控靶的设计计算，薄膜厚度的测量技术，薄膜与表面分析检测技术；书中还介绍了近年来出现的新型薄膜材料石墨烯的制备方法和应用等方面的内容。
本书理论与实际应用结合，可作为真空技术与工程、薄膜与表面应用、材料工程、应用物理以及与真空镀膜技术相关专业的教材，也可供相关领域的技术人员参考。

由于石墨烯材料具有众多的优异特性，使其在半导体领域有着广阔的应用前景，本书详细介绍了石墨烯材料在半导体中的应用。全书共8章，包含三大部分内容，分别为石墨烯材料简述（第1~3章）、石墨烯在半导体器件中的应用（第4~6章）和石墨烯在半导体封装散热中的应用（第7~8章）。石墨烯材料简述部分介绍了石墨烯材料及其发展和产业现状，石墨烯材料的制备、转移及特性，以及石墨烯材料在半导体领域的应用发展；石墨烯在半导体器件中的应用部分介绍了石墨烯人工电磁材料的吸波特性、传感器特性以及其在新型器件中的应用；石墨

本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础，全书共分十一章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，第十一章介绍了溶液法技术及发光器件的制备。
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GaN基宽禁带半导体异质结构具有很高的应用价值，是发展高频、高功率电子器件*优选的半导体材料。本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。

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本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

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